properti produk
TIPE
MENGGAMBARKAN
kategori
Produk Semikonduktor Diskrit
Transistor – FET, MOSFET – Tunggal
pabrikan
Teknologi Infineon
seri
CoolGaN™
Kemasan
Tape dan Reel (TR)
Pita Geser (CT)
Reel Kustom Digi-Reel®
Status Produk
dihentikan
tipe FET
saluran N
teknologi
GaNFET (Gallium Nitrida)
Tiriskan-Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus pada 25°C – Pembuangan Berkelanjutan (Id)
31A (Tc)
Tegangan Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
On-resistance (maks) pada Id yang berbeda, Vgs
-
Vgs(th) (maximum) pada Id yang berbeda
1,6V @ 2,6mA
Vg (maks)
-10V
Kapasitansi masukan (Ciss) pada Vds berbeda (maks)
380pF @ 400V
fungsi FET
-
Disipasi daya (maks)
125W (Tc)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
tipe instalasi
Jenis Pemasangan Permukaan
Pengemasan Perangkat Pemasok
PG-DSO-20-87
Paket/Penutup
20-PowerSOIC (0,433″, lebar 11,00mm)
Nomor produk dasar
IGOT60
Media dan Unduhan
JENIS SUMBERDAYA
TAUTAN
Spesifikasi
IGOT60R070D1
Panduan Seleksi GaN
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
Dokumen terkait lainnya
GaN di Adaptor/Pengisi Daya
GaN di Server dan Telekomunikasi
Keandalan dan Kualifikasi CoolGaN
Mengapa CoolGaN
GaN dalam Pengisian Nirkabel
berkas video
CoolGaN™ 600V e-mode HEMT platform evaluasi setengah jembatan menampilkan GaN EiceDRIVER™
CoolGaN™ – paradigma kekuatan baru
Papan evaluasi PFC tiang totem jembatan penuh 2500 W menggunakan CoolGaN™ 600 V
Spesifikasi HTML
CoolGaN™ 600 V e-mode GaN HEMTs Brief
IGOT60R070D1
Klasifikasi Lingkungan dan Ekspor
ATRIBUT
MENGGAMBARKAN
status RoHS
Sesuai dengan spesifikasi ROHS3
Tingkat Sensitivitas Kelembaban (MSL)
3 (168 jam)
MENCAPAI status
Produk non-REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
